La technologie MOSFET SiC : pour la réduction du volume et du poids des équipements électriques dans les transports de demain

Le projet SICRET¹ est la première initiative française publique-privée à échelle nationale et européenne qui est entièrement dédiée à la fiabilité des interrupteurs de puissance de type transistor à effet de champs (MOSFET) à base de Silicon Carbide (SiC). Il réunit les principaux acteurs industriels de la chaîne de valeur de la transition énergétique ainsi que les meilleurs laboratoires du domaine. Grâce à la qualité technique et scientifique de ce consortium, le projet a pu attirer les principaux fournisseurs en électronique de puissance tels que STMicroelectronics (EU), MITSUBISHI (Japon), Infineon (EU), Rohm (Japon) et Wolfspeed (USA). 

Dans un contexte d’électrification massive de la mobilité terrestre et aéronautique, où le poids et le volume des équipements électriques sont cruciaux, cette technologie, dotée de performances thermiques et électriques exceptionnelles, offre une réelle alternative aux solutions conventionnelles basées sur la technologie silicium. En effet, elle permet une réduction significative en termes de volume et de poids des équipements électriques. L’adoption de cette technologie est néanmoins limitée aujourd’hui en raison du manque de recul et de connaissances sur les principaux mécanismes de dégradation. Pour ce faire, le projet a développé de nouvelles méthodologies de tests capables de saisir, en particulier, les remarquable propriétés électriques et thermiques des interrupteurs MOSFET SiC.  

Trois ans après son lancement, le projet a permis de structurer l’écosystème scientifique et industriel, apportant une valeur ajoutée considérable en termes de transfert de connaissances et de bonnes pratiques industrielles. La valeur de ces réalisations a été largement reconnue par les principales parties prenantes nationales et internationales (JEDEC² , AEC³ , ECPE⁴ , CFF⁵ , etc.). 

La confiance en SICRET a été renouvelée et élargie avec la suite du projet, SICRET+, dont le périmètre s’étend aux modules de puissance SiC et englobe une communauté industrielle et scientifique encore plus large. 

1.SiC (MOSFET) Reliability Evaluation for Transport
2.Joint Electron Device Engineering Council
3. Automotive Electronics Council 
4.European Center for Power Electronics
5. Centre Français de Fiabilité